东芝采用新一代曝光装置——削减存储器的制造成本

    东芝决定在2017年度将和佳能共同开发的新一代半导体曝光装置采用至NAND型闪存的量产线上。该装置使用了“纳米压印曝光”技术,是电机行业首次在量产上使用。东芝将其定位于降低存储器制造成本的杀手锏,旨在提高经营重建的核心事业——存储器的收益能力。佳能将纳米压印曝光装置作为新一代的主力事业加以培育。

 

    东芝17日发布消息将进行建设的新工厂(三重县四日市市)计划引进纳米压印装置,应用于对记忆元件进行积层的3D(三维)结构NAND存储器部分曝光生产工序中。

 

    纳米压印曝光装置以如同盖章的形式生成回路。现有的氟化氩(ArF)液浸曝光装置需要2次处理,该装置只需1次。


引用: http://www.nikkan.co.jp/articles/view/00378816
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