半金属的铋制成薄膜后变为半导体——东工大等确认,在电气性质测量中验证

    东京工业大学研究生院理工学研究科的平原彻准教授等共同研究小组发现,半金属的铋制成薄膜后可成为半导体。制作高品质的铋薄膜,对其测量电气性质后确认了该成果。有望成为新一代高速电子设备的主力候选材料。

 

    平原准教授与东京大学的长谷川修司教授、分子科学研究所的田中清尚准教授、大阪大学的木村真一教授、茶水女子大学的小林功佳教授等共同制作了厚度约70纳米的铋薄膜,在分子科学研究所的放射线设施进行了角度分解光电子分光测量。结果确认铋薄膜变为了半导体。1960年曾在理论上预测铋制成薄膜后可变为半导体,但以往实验中未曾得出明确的结论。


    本次的发现还确认了理论上未预测到的表面与界面电子的新关系现象。物质厚度变薄后,内部电子封闭于狭窄空间中,按照量子力学法则运动。利用此“量子效应”可控制铋的电气性质。

 


引用: http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150911eaag.html
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