三菱化学在CMP后清洗剂开发领域与纽约州立大学合作——加入CMP中心

    三菱化学27日正式发布消息称,与美国纽约州立大学针对新一代半导体加工技术——化学机械研磨(CMP)用清洗剂的相关事宜签订了评价委托合同。并将参加纽约州立大学和美国半导体制造技术研究协会“SEMATECH”共同运营的项目——CMP中心,开发可对应回路宽度10纳米(1纳米=10亿分之1米)、7纳米的新一代半导体CMP后清洗剂。

 

    CMP是将半导体基板表面的凹凸平整化的研磨加工技术,半导体在向高性能化发展的同时变得越发细微化,在铜布线形成后的CMP后清洗工序中要求具备不腐蚀基板而清除金属杂质的技术。加入CMP中心后,可运用该中心的世界最高水准的半导体装置进行开发和评价。


引用: http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0820150428cbap.html
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