罗姆电子6月开始使用SiC进行槽结构的MOSFET量产

    【京都】罗姆电子将在6月开始使用碳化硅(SiC)对槽结构的功率型金属氧化膜半导体场效应管(MOSFET)进行量产,5月份样品出货。SiC的MOSFET现在只有平面结构进行量产,本次将是行业内首次进行槽结构的量产。

 

    槽结构在芯片表面形成沟槽,在其侧壁形成阈门,相比在元件表面加入阈门的平面结构可减少打开时的电阻。该公司介绍,同样芯片面积在打开时的电阻可削减50%。先期将发售组合了SiC二极管,耐压1200伏、180安的模块,然后再推出单独性能的分离产品和600安的模块产品。


   该公司2010年首次在行业内量产了平面结构的SiC制MOSFET。目前在生产第2代MOSFET,本次的槽结构为第3代产品。


引用: http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0320150423bjab.html
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