渊田纳米技研开发出在常温下高速生产绝缘膜的静电感应等离子技术

    渊田纳米技研(千叶县成田市、渊田英嗣社长)开发出常温下可对绝缘膜高速成膜的静电感应等离子成膜技术。成膜速度为每分钟膜厚200-400纳米,是代表性的溅射成膜技术(Sputtering)的约20倍。可在常温下成膜,适用于不具备耐高温性的材料。

 

    对氧化铝绝缘膜成膜后,膜厚4000纳米可承受1千伏的电压。绝缘破坏电场达到2500千伏/cm以上。膜厚500纳米则为约3700千伏/cm。首先将向半导体的封装材料提供绝缘产品方案。


    静电感应等离子成膜法是将氧化铝粒子摩擦带电,与中间基板碰撞后,在中间基板表面产生等离子。该等离子使氧化铝在原子层次飞溅,附着于目标基板表面产生膜。薄膜中氧化铝纳米粒子致密结合,相比氧化铝块具有20倍以上的绝缘破坏电场强度。


    氧化铝粉末只需漂浮飞扬,通过喷嘴进行喷射后即可产生等离子,不必施加高电压。适合不适应温度变化的材料绝缘。现试制了成膜宽度300mm的装置。


引用: http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0120150318hham.html
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