东京大学成功将铁硫化物的超导临界温度提高至23K

   东京大学研究生院综合文化研究科的今井良宗助教、前田京刚教授等成功将属于铁类超导体的“铁硫化物”变为超导状态的温度(临界温度)提高至原来的1.5倍——23K(K为绝对温度,0K=零下273℃)。实现了以往难以完成的铁硫化物薄膜制作。

   铁硫化物是由铁、碲、硒构成的物质,以往该物质的临界温度为15K。原有合成手法的组成领域中存在不会形成单一固溶体(碲和硒的比例无法固定)的现象(相分离)。

   本次试制出铁硫化物的薄膜材料后,确认在该组成领域也可抑制相分离(形成多个组成的相现象),有助于加快探明铁类超导体产生的机制及其应用研究。

引用:http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150205eaag.html


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