理研・庆大・日进工具开发出照射低温等离子对SiC基板进行细微加工的技术

    理化学研究所大森素形材工学研究室的片平和俊专任研究员、庆应义塾大学的小茂鸟润教授与日工具开发出照射低温等离子,对碳化硅(SiC)基板高精度细微加工的技术。只需切削加工即可将表面光洁度控制在1纳米以下。对机床安装小型的等离子照射头即可改装完成。

    切削部分照射低温等离子后再以多结晶金刚石刀具切削SiC基板。等离子使SiC的表面变化为SiO2,提高表面的湿润性,让切削液更容易渗透至细微的间隙中。以往的表面光洁度为2-5纳米,现在最小可达到0.89纳米水平并实现1纳米以下稳定的加工。

    提高切削液的润滑效率后可延长刀具的消耗寿命。照射等离子后切削3000mm也能将表面光洁度维持在1-2纳米。刀具表面通过电子显微镜观察,没有Si等切屑附着,还可按2倍的进给速度切削,大幅提高了金刚石刀具的寿命。

    刚玉等其他陶瓷也确认了切削改善效果。等离子照射装置的结构简单,以实现了选配安装的产品化。

引用:http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720150114eaap.html


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