产综研与矢崎总业开发出在纳米尺度下评价连接器接点性能的装置

    产业技术综合研究所与矢崎总业25日发布消息称,开发出在纳米尺度下评价连接器接点性能的装置。连接器接续时割去金属表面的绝缘层,露出切口内的金属,以观察电力通道生成的情况。由此可研究电力接点的最小作用力以及稳定剥离绝缘层的方法。
 

    连接器的金属表面被绝缘体的氧化膜覆盖。插拔连接器时的作用力可剥离氧化膜,生成电力通道。产综研通过电子显微镜观察,开发出能以10纳米-20纳米为单位操作探针的评价装置。接触电阻可在数毫欧至100兆欧的范围内测量。探针插入金属表面后破坏氧化膜,以观察电力的接触状态。
 

    探针接触后锡后,厚度10纳米的锡氧化膜被割开,锡裸露,然后观察电阻降低的情况。有助于探明金属氧化物硬度、厚度、拔插方向与作用力之间的关系,为开发连接器做出贡献。


引用: http://www.nikkan.co.jp/news/nkx0720140926eaae.html
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