国家メモリ基地を武漢光谷で造成

【3月29日新華網】

 

  国家メモリ基地の建設が28日に武漢光谷で正式に開始された。情報によると、基地の建設にはチップ製造、関連産業チェーン等が含まれ、5年以内の投資額は240億米ドル(約1600億人民元)。2020年までに月産30万個の生産規模を形成する見込み。

 

 メモリは情報システムの基礎コアチップ。2015年にメモリの発展は国家戦略となった。2006年には湖北省と武漢市が武漢光谷で100億元を投じ、武漢新芯の12インチウエハ製造プロジェクトの建設を行った。10年間の育成を経て、中国の重要な集積回路産業集中地区の一つとなっている。

 

 情報によると、このメモリ基地プロジェクトはチップ製造段階を突破口とし、メモリ製品の設計、技術開発、ウエハの生産と試験、販売を一体化するもの。光谷地区ですでに一定の規模が形勢されているディスプレイ産業(天馬、華星光電)、インテリジェント端末産業(華為、聯想、富士康)を集め、武漢光谷が国内ひいては世界で最も電子情報産業が密集した基地となることを目指す。


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